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利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出P型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。P型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化P型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的P型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
良品的外延片就要开始做电极(P极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测，
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
以提高n在zno的固溶度。研究表明:n掺杂zno体系,由于n-2P和zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-n
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜111
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
由于iii族氮化物的P型掺杂受限于mg受主的溶解度和空穴的较高激活能，热量特别容易在P型区域中产生，这个热量必须通过整个结构才能在热沉上消散;led器件的散热途径主要是热传导和
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127197.htm2011/9/5 14:38:54
属氧化物化学气相沉积(mocvd)技术在图形蓝宝石衬底(Pss)上生长2μm厚的n型gan层,4层量子阱和200nm厚的P型gan层,形成led结构
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
