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首尔半导体推出420lm led,比传统led亮三倍

2007年9月19日,首尔半导体(ssc)当天宣布其单封装led(图左)亮度达到业内最高,与 z-Power P4 led(100lm)相比,亮度提高了三倍。ssc的高性能le

  https://www.alighting.cn/resource/20070920/128531.htm2007/9/20 0:00:00

六招专业手法看水晶灯饰(图)

可以通过“4P”手法及水晶吊灯垂饰的孔及外形,观察判断水晶灯的外观及安全。

  https://www.alighting.cn/resource/2007823/V9516.htm2007/8/23 10:59:03

激光诱导下gan的P型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对gan进行P型掺杂。在gan样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入gan中,得到高浓度的P型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

大功率发光二极管在信号灯方面的应用和前景

压,则 P区中空穴会流向n区;而n区中的电子会流向P区。然后,随着小数载流子和我数载流子的重合放出能量;其中,一部分能量转化为热,另一部分转化为

  https://www.alighting.cn/resource/20051216/128917.htm2005/12/16 0:00:00

led技术:外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上,气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

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