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采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、P掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、P掺杂分别得到n、P
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同P层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了P层厚度即P
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, P 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au P gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
5gbPs的数据传输带宽，满足 1080P的分辨率，并支持所有的hdtv等标准以及dvd audio等先进的数字音频格式，支持多声道96khz或立体声192khz数码音频传递，而且只
https://www.alighting.cn/resource/20130129/126099.htm2013/1/29 13:20:26
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同al组分(alxga1-x)0.5in0.5P的选择性腐蚀特性对倒装algainP红光led进行表面粗化的方法。通过向粗化层gainP加入适
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
代。led的发光原理简单来说是由含电洞之P型半导体与含电子之n型半导体结合成之P-n二极管，在P-n二极管两端加上顺向偏压，当电流通过时，电子与电洞流至接合面接合时会放出能量而发
https://www.alighting.cn/2012/9/17 20:51:15
本文介绍了一款为某P波段雷达项目研制的低频脉冲负载用开关电源的设计与研究。文中介绍了该电源的设计难点及相应的解决方法，另外描述了该电源的实现方案，最后通过一些波形和照片介绍了整
https://www.alighting.cn/resource/2012/7/27/144021_77.htm2012/7/27 14:40:21
建筑照明主要内容：电光源、灯具、室内工作照明设计、室内外环境照明，59个P，知识丰富全面，值得下载阅读学习!
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/26/172842_72.htm2012/4/26 17:28:42
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和P衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到P衬底中而结合成siPn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
