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极(P极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由n区注入P区，空穴由P区注入n区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发
https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜P型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的P型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
文章介绍了红外遥控发射器nb9148芯片的特性。在红外遥控接收装置中，传统的方法是采用专用的红外遥控接收器nb9149，但带来种种限制，因此，本文直接采用em78P156e单片
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/23/11226_48.htm2013/8/23 11:22:06
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
vgg12864e-s002型oled显示屏接口电路,采用P89c669作为mPu,用以控制和访问oled内部显示ram。其控制方式为间接控制,即P89c669通过自身系统中的并
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125579.htm2013/5/22 13:22:27
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,P型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
通过本报告的分析，可以看出中村修二先生在蓝光led、半导体照明及其他氮化物半导体材料器件上引领着技术的发展方向，做出了一系列关键性的贡献，被誉为“蓝光之父”。因此，掌握中村修二教授
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:03:09
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和P衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到P衬底中而结合成siPn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
