站内搜索
光(395nm)有效激发,产生eu3+的5d0→7f2特征跃迁红光发射(616n
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26
采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的sr3sio5:eu2+发光材料. 测量了eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05
关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
针对亮度控制方面，主要的两种解决方案为线性调节led的电流(模拟调光)或在肉眼无法察觉的高频下，让驱动电流从0到目标电流值之间来回切换(数字调光)。利用脉冲宽度调变(pwm)来设
https://www.alighting.cn/resource/20111010/127028.htm2011/10/10 14:09:19
部集成了带隙电压基准源,产生0.25v的参考电
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127046.htm2011/9/30 14:34:13
时获得了p型zno薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64ω.cm,迁移率为0.838cm2/(v.s).霍尔测试和低温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
本文介绍的是一款高效的led驱动器，它可以在90 vac至265 vac的输入电压范围内提供12 v输出电压、0.3 a输出电流的驱动。该led驱动器采用了powe
https://www.alighting.cn/2011/9/28 13:46:02
离相比小于0.03时,对光栅光调制器的光学信息处理不会有影响,并通过实验加以证实,从而说明采用led作为光栅光调制器照明光源的可行
https://www.alighting.cn/2011/9/26 16:24:05
光及绿光芯片,发射光谱峰值位于615nm,色坐标为(x=0.666,y=0.331);球磨对它的形貌影响非常明显。为了比较硫化物发光粉和lieuw2o8发光粉的性能,分别对他们进
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127092.htm2011/9/23 9:38:16
