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in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

hid电子镇流器的分析与设计

系统进行了分析与设计,试验表明本系统,设计功能强、系统运行可靠,功率因数为0.98

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/19/153218_06.htm2011/9/19 15:32:18

gan/aln半导体异质结带阶超原胞法计算

为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62ev,

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00

led白光源用pr~(3+),ce~(3+):yag光纤制备与特性

为(x=0.322,y=0.335),显色指数84.3,表明光源品质良好,有望用于未来高效大功率光纤白光源

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127155.htm2011/9/14 8:52:21

立方相gan/gaas(001)外延层中六角相的分布特征

采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出gan/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式oled的研究

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05

浅谈白光led驱动器的特性

驱动器可以看作是向白光led 供电的特殊电源,可以驱动正向压降为3.0~4.3v 的白光led,并根据需要驱动串联、并联或串并联的多个白光led,满足驱动电流的要求。本文就白

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/7/154456_47.htm2011/9/7 15:44:56

蓝宝石基片上制备双面tl_2ba_2cacu_2o_8超导薄膜

为106k,jc(77k,0t)为3.5ma/cm2,微波表面电阻rs(77k,10ghz)为390μ

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42

蓝宝石衬底上磁控溅射法室温制备外延zno薄膜

构和光学特性。afm测量结果表明zno薄膜具有较为均匀的zno晶粒,表面平整,具有较小的均方根粗糙度(0.9 nm);x射线衍射结果表明制备的zno薄膜为具有六角纤锌矿结构的外延薄

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18

蓝宝石头罩增透保护膜系的制备

膜其厚度不均匀性小于8.5%;雨蚀测试后,蓝宝石验证片的平均透过率损失小于1.0%.涂层通过雨蚀测试后,采用射频磁控溅射法在蓝宝石头罩上制备了sio2薄膜

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18

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