检索首页
阿拉丁已为您找到约 226条相关结果 (用时 1.0850298 秒)

led用yag:ce3+荧光粉的研制

求,因此有必要对该荧光粉进行更进一步的研制。一、研制过程将y2o3、ceo2、AL2o3或其取代物gd2o3或lu2o3、助熔剂等原料混合均匀,放入刚玉坩埚中,在一定的还原气氛下,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00

外延生长技术概述

为甲基或乙基化合物,如:ga(ch3)3,in(ch3)3,AL(ch3)3,ga(c2h5)3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

氮化镓衬底及其生产技术

体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpe方法在其他衬底(如AL2o3、sic、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

gan外延片的主要生长方法

v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:ga(ch3)3,in(ch3)3,AL(ch3)3,ga(c2h5)

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

led外延片(衬底材料)介绍

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,AL,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00

led外延的衬底材料有哪些

前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石AL2o3和碳

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00

led是如何产生有色光的

为二元素发光管。而目前最新的氧程是用混合铝(AL)、钙(ca) 、??(in)和氮(n)四种元素的ALgainn 的四元素材料氧造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00

从钻石的散热及发光看超级led的设计

镓 gan)会因基材(如刚玉 AL2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2),这些缺陷限制了内部量子效应(internAL quantum efficiency)的发

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28

led蓝宝石基板技术介绍

目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质,而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关,蓝宝石(单晶AL2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40

明想特价061b126066 0403504043mbc5080 mbc 5080

p0403504102rt2000403504105rt200l017d0021660403504116rt260AL017d0024660403504116rt262a017

  http://blog.alighting.cn/foxboro/archive/2011/6/22/222681.html2011/6/22 15:15:00

首页 上一页 11 12 13 14 15 16 17 18 下一页