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光角度不一样。特殊的发光角度，价格较高。如全漫射角，价格较高。 6、寿命不同品质的关键是寿命，寿命由光衰决定。光衰小、寿命长，寿命长，价格高。 7、晶片 leD的发光体为晶
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120881.html2010/12/14 21:50:00
度寄存器的长度是12位，另外，流动每个通道leD的驱动电路由内部6位的点校正寄存器的值进行64级控制，而且驱动电流的最大值可通过片外电阻设定。 64级电流控制提供了leD点
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120876.html2010/12/14 21:49:00
—4万小时左右，一些顶级的ccfl背光源(wcg-ccfl)寿命大约在6万小时左右。这样的寿命即使对于频繁使用的用户来说，也能维持好几年的时间。而leD背光的寿命就更长了，现阶段白
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120873.html2010/12/14 21:48:00
区电压或阈值电压。由于硅二极管的is远小于锗二极管的is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5v~0.6v, 锗二极管的门限电压约为0.
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120870.html2010/12/14 21:47:00
叫可见光;10nm-380nm叫紫外光；波长小于10nm的是x线光。 四、金线：金线的作用：连接晶片paD（焊垫）与支架，并使其能够导通。金线的纯度为99.99%au；延伸率为2-6
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
知的那部分当量,称作为光通量φv(1m).辐射通量与器件的电功率之比表示leD的辐射效率;光通量与器件的电 度指在给定方向上单位立体角内所发射的光通量: i= Dφ/Dω(c
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120865.html2010/12/14 21:46:00
有抑制浪涌的侵入，保护leD不被损坏的能力。 6．保护功能 电源除了常规的保护功能外，最好在恒流输出中增加leD温度负反馈，防止leD温度过高。 7 防护方面 灯具外安装
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120866.html2010/12/14 21:46:00
7) cie127-1997 leD测试方法（1997） （ 6） cie/iso stanDarDs on leD intensity measurements cie/is
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120868.html2010/12/14 21:46:00
可大到瓦级甚至更高。 3、降低leD结温的途径有哪些？ a、减少leD本身的热阻；b、良好的二次散热机构；c、减少leD与二次散热机构安装介面之间的热阻；D、控制额定输入功率；
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
材枓结构，理论上可以生产从红外光一直到绿光范围内任何波长的leD，下标x代表磷元素取代砷元素的百分比。一般通过pn结压降可以确定leD的波长颜色。其中典型的有gaas0.6p0.
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
