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高光效GaNled芯片技术研究进展

附件为论坛嘉宾的演讲内容《高光效GaNled芯片技术研究进展》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20160615/141191.htm2016/6/15 14:06:06

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:ganled;i-v特性;p-i特性;  gan半导材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:ganled;i-v特性;p-i特性;  gan半导材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:ganled;i-v特性;p-i特性;  gan半导材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:ganled;i-v特性;p-i特性;  gan半导材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:ganled;i-v特性;p-i特性;  gan半导材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对GaNled特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:ganled;i-v特性;p-i特性;  gan半导材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

半导荧光灯 请你走下神坛(组图)

目前我们使用的白色led的实质是半导荧光灯,它的本特性和普通荧光灯一致,它的性能指标远比我们的期望值要差许多,不可以将其神化,半导荧光灯,应该走下神坛。led和半导荧光

  https://www.alighting.cn/resource/201022/V22822.htm2010/2/2 16:19:00

半导行业2015年年度投资策略(1)

6月份《国家集成电路产业发展推进纲要》出台,10月份半导产业扶持金正式挂牌,行业内整合并购如火如荼。在国家政策扶持及整个半导产业链逐渐由台韩向大陆转移的背景下,我们持续看

  https://www.alighting.cn/2015/1/20 14:28:00

半导荧光灯 请你走下神坛(组图)

目前我们使用的白色led的实质是半导荧光灯,它的本特性和普通荧光灯一致,它的性能指标远比我们的期望值要差许多,不可以将其神化,半导荧光灯,应该走下神坛。led和半导荧光

  https://www.alighting.cn/news/201022/V22822.htm2010/2/2 16:19:00

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