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作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（sbd），预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/news/20101203/106822.htm2010/12/3 0:00:00
GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
由于led具有电光转换效率高、寿命长和节能环保等优点,以GaN基led为主的半导体照明近年来发展非常迅猛,各种应用层出不穷,当前在全球能源紧张和“节能减排”的大环境下,国家非常重
https://www.alighting.cn/resource/20120302/126705.htm2012/3/2 10:09:16
GaN（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
GaN基化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注，成了近期半导体光源技术的发展热点，是许多国家政府能源战略关注的热门技术。
https://www.alighting.cn/resource/20061123/128478.htm2006/11/23 0:00:00
近日，由中国科学院半导体研究所承担的北京市科委“氮化镓基led用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目顺利通过北京市科委组织专家组验收。
https://www.alighting.cn/news/20140320/97988.htm2014/3/20 11:57:50
在si衬底上生长了GaN基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板GaN基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
