站内搜索
唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营，或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制，较大部分芯片资源来自集团外部，因此成本不具竞争力，在韩系三巨
https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
led企业首尔半导体称，3月8日与电子元器件流通企业第吉基公司签订全球销售合同。第吉基公司是流通多种工程、设备行业正在使用的综合电子元器件的企业，通过与首尔半导体的协议，签订了流
https://www.alighting.cn/news/20100310/120476.htm2010/3/10 0:00:00
以碳化硅(sic)、氮化镓(GaN)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业exaGaN公司的多数股
https://www.alighting.cn/news/20200311/167030.htm2020/3/11 9:59:11
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
以高亮度GaN 基蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN 基材料的基本特性, 分析了ga
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
据rebecca pool报道，kubos半导体公司利用其立方GaN外延技术，打算很快推出大规模制造绿色led的工艺。
https://www.alighting.cn/news/20191128/165369.htm2019/11/28 9:38:13
韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提
https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35
硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
