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近日，依托南昌大学、晶能光电的国家硅基半导体照明工程技术研究中心获科技部批准组建。该中心组建期为3年，将获得国家拨款1400万元。至此，江西省国家工程技术研究中心增至5家。
https://www.alighting.cn/news/20110331/100815.htm2011/3/31 9:22:45
宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
高功率led封装厂台湾半导体照明公司(tslc)2013年12月30日举行新厂落成仪式，tslc传承前身高功率led封装厂采钰的晶圆级led硅基及氮化铝封装技术，让led封装元
https://www.alighting.cn/news/20140109/111360.htm2014/1/9 9:44:12
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
GaN、aln、inn及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
国际半导体照明联盟(isa)在广州举行年度成员大会，并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。晶能光电作为“全球首家量产硅基大功率led芯片的公司”成功入选了“全
https://www.alighting.cn/news/20121105/113019.htm2012/11/5 11:49:36
安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
