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采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
随着led应用的升级，市场对于led的需求，也朝更大功率及更高亮度的方向发展，对于高功率led的设计，目前各大厂多以大尺寸单颗低压dc led为主，做法有二，一为传统水平结构，另一
https://www.alighting.cn/resource/20110720/127418.htm2011/7/20 9:39:54
为了克服正装芯片的这些不足，出现了倒装芯片(flip chip)结构，光从蓝宝石衬底取出，不必从电流扩散层取出。由于不从电流扩散层出光，这样不透光的电流扩散层可以加厚，增加fli
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
度提高led光提取效率,在使用si、蓝宝石、sic作为芯片衬底材料时, 菱形结构的光提取效率分别提高到传统方形结构的1. 51、2. 03、3. 65倍
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/15/155226_01.htm2011/7/15 15:52:26
最新实验报告显示，用100w的集成模块对比，用纯铜片的模块在芯片温度高到75摄氏度时，用金刚石-铜复合片的模块芯片温度只有65摄氏度。而今国内已开发出金刚石-铜复合片。导热率比纯铜
https://www.alighting.cn/resource/20110707/127450.htm2011/7/7 11:58:41
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa 下点
https://www.alighting.cn/resource/20110604/127514.htm2011/6/4 22:12:37
及封装环节。其中的心设备有蓝宝石单晶炉、mocvd(金属有机化合物化学气相沉积设备)等。键的原材料包括高纯氧化铝粉料、金属有机化合物材料、蓝宝石衬底
https://www.alighting.cn/resource/20110521/127573.htm2011/5/21 15:38:17
