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光二极管的核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为p-N结。在某些半导体材料的pN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多
http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/6/19/319445.html2013/6/19 15:40:34
旭明光电最近宣布uv新产品：10 w 高功率N9 系列及二款0.17w 及0.5 w 的p50N中低功率uv led，二系列新产品同时拥有旭明垂直式结构专利的优点，由其在指向性光
https://www.alighting.cn/pingce/2013617/n082652786.htm2013/6/17 17:16:27
旭明光电最近宣布uv新产品： 10 w 高功率N9 系列及 二款0.17w 及 0.5 w 的p50N中低功率 uv led，二系列新产品同时拥有旭明垂直式结构专利的优点，由
https://www.alighting.cn/pingce/20130617/121839.htm2013/6/17 17:02:18
极(p极，N极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
江认为，捏成一个拳头，出击才能更加凶猛：雷士照明与德豪润达新推出的联合品牌N v cet i看起来正是让两家在终端更“和谐”的做法。据吴长江透露，双方联合品牌N v cet
http://blog.alighting.cn/178081/archive/2013/5/31/318379.html2013/5/31 20:28:06
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zNo薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(N2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
d光源工作特点照明用led光源的vf电压都很低，一般vf =2.75-3.8v，if在15-1400ma;因此led驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1， if恒流在15
http://blog.alighting.cn/gzds3142/archive/2013/5/23/317792.html2013/5/23 9:16:38
石,缓冲层为alN,N型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gaN,p型层为0.15μm的mg掺杂gaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约 0.1 流明 / 瓦。70 年代中期，引入元素 iN 和 N ，使 led 产生绿光（ λ p =555Nm ），黄光（ λ
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/15/317211.html2013/5/15 10:53:53
