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牺牲ni退火对衬底gan发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

cob封装中芯片在板不同位置的残余应力

利用压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在板靠近

  https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58

gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

新型通孔衬底ganled结构的电流扩展分析

为了降低si衬底ganled的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二级管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

  https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10

于反激式led驱动芯片的可控调光设计

分析了led驱动电源设计中的可控调光。设计能兼容现行大多数调光器的led电源是降低led成本、迅速取代当前节能照明技术的关键。系统地分析了三端双向可控的工作原理和led驱动电

  https://www.alighting.cn/2013/8/13 14:48:33

蓝宝石等led衬底材料的选择比较

衬底材料是半导体照明产业技术发展的石。不同的衬底材料,需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。

  https://www.alighting.cn/resource/20130801/125427.htm2013/8/1 15:47:37

大功率led陶瓷封装技术研究

本文通过使用a1n和al203这两种陶瓷板作为大功率led的封装板,主要研究了陶瓷板作为封装板在在改善散热方面的优势、板工作时温度、光效和电流的关系,并和铝覆铜板作

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47

衬底灯饰led芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的ganled均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,sic同样存在硬度高且成本昂

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

氮化在大功率led的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“衬底氮化大功率led的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

2013ls:热驰-类金刚石在led导热线路板中的应用

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由苏州热驰光电科技有限公司的林昕/总经理主讲的关于介绍《类金刚石在led导热线路板中的应用》的讲义资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看

  https://www.alighting.cn/resource/20130618/125506.htm2013/6/18 16:17:55

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