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硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
日前，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
氮化镓晶体管的开关频率非常高，这种开关速度对驱动器中的线圈和储能电容的尺寸有很大的影响。氮化镓驱动器的开关速度比硅基驱动器的10倍。因此驱动可以做得更小更便宜，整个led灯更轻更
https://www.alighting.cn/resource/20140327/124727.htm2014/3/27 13:41:27
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
在si基板上形成的led应该比蓝宝石基板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆，今后这一情况也仍将继续，因此使用硅基gan基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有
https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25
