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带反并联二极管igbt中的二极管设计
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12398.htm2007/2/8 13:36:04
amoled 是替代tft-lcd 的最佳显示技术：oled(有机发光二极管)采用的是通过电流刺激发光材料主动发光获得显示效果的新型平面显示技术;其中制程相对较简单的pmole
https://www.alighting.cn/resource/20110629/127484.htm2011/6/29 18:06:59
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
我国自主研制的第一个发光二极管(led)，比世界上第一个发光二极管仅仅晚几个月。据专家称，目前我国半导体发光二极管产业的技术水平，与发达国家只相差3年左右。通过国家科技攻关计划
https://www.alighting.cn/resource/20060220/128799.htm2006/2/20 0:00:00
采用普通的alq∶dcm红光发光材料体系,制作了结构为glass/dbr/ito/npb/alq∶dcm/ mgag的有机红光微腔发光器件,实现了纯红光发射,器件发射峰位于60
https://www.alighting.cn/2013/5/8 11:30:11
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
基于温室植物光合作用和光形态调节原理，设计了发光二极管(led)温室植物生产灯.以点光源模型来计算单元模块在照明参考平面上照明区域内的的光照度和光质.数值计算结果表明：方案二由
https://www.alighting.cn/resource/20110927/127069.htm2011/9/27 14:27:28
采用高温固相法制备了ligd1-xeux(moo4)2钼酸盐红色发光粉,利用xrd和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26
