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发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高GaN基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和GaN相分离而形成的富in类量子点结构，主导着inGaN基发光二极管发光波长，体现了inGaN基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
发光二极管（led）是一种由磷化镓（gap）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其
https://www.alighting.cn/resource/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15
GaN基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来GaN基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得GaN基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯、移动电话背
https://www.alighting.cn/resource/2007126/V13057.htm2007/12/6 11:13:46
led技术：阿拉丁照明网资料频道提供全面的led技术资料免费下载。本文推荐的led技术资料是《GaN基发光二极管合成照明光源的开发研究》。 摘要：GaN基发光二极管合成照
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
和半导体器件一样，发光二极管(led)早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分，是提高led可靠性的积极主动的方法。led失效分析步骤必须遵循先进行非破坏性、可逆、可重复的试验，再
https://www.alighting.cn/resource/200849/V15085.htm2008/4/9 11:39:48
检测单色发光二极管方式方法概要。
https://www.alighting.cn/resource/20061101/128943.htm2006/11/1 0:00:00
系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。
https://www.alighting.cn/2013/2/22 13:45:34
多芯片封装发光二极管的技术是：即再一个器件内（可以是圆，方，矩，长条形，椭圆等几何形状）封装几十，几百，至上千个led芯片，封装的芯片可以是常用的8—15mil小芯片，也可以是0
https://www.alighting.cn/resource/20080624/128604.htm2008/6/24 0:00:00
《发光二极管(led)封装培训》主要内容：一、发光二极体(led)简介；二、led主要制程及物料；三、公司主要产品结构介紹；四、led主要光电参数简述；五、led优点。
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/18/181514_04.htm2011/7/18 18:15:14
