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附件为某企业的led照明基础培训教材，《led照明基础培训教材》描述了照明的基础、光源分类及特点、发光二极管的发展及特点、发光二极管的原理与编码、发光二极管的质量、光的数量定义、
https://www.alighting.cn/resource/2010/12/7/14527_09.htm2010/12/7 14:05:27
文章解读了封装的led发光二极管正负极的判别方法，草帽led正负极的判别方法，以及5050贴片led正负极的判别方法。
https://www.alighting.cn/2013/1/7 10:04:59
域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体GaN发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
有机发光二极管oled材料系统简介：台湾彰化师范大学蓝光实验室陈俊荣教授关于oled元件材料系统的介绍和分析，分oled元件结构简介和oled元件材料介绍两部分，欢迎下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/8/112459_06.htm2011/3/8 11:24:59
为了提高GaN基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/li
https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11
《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的inGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
led数位管(数码管)是一种半导体发光器件，其基本单元是发光二极体。数位管按段数分为七段数位管和八段数位管，八段数位管比七段数位管多一个发光二极体单元(多一个小数点显示);按能显
https://www.alighting.cn/resource/20101026/128266.htm2010/10/26 11:53:04
