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膜，对薄膜的晶体质量、位错密度，以及对材料电学光学性质进行了表征。 在此基础上，我们还在蓝宝石图形衬底上制备了发光二极管(led)器件结构，并研究了发光效率的提升机
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
本文介绍了关于新材料器件进展与GaN器件封装技术研究，有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢！~
https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38
2 o3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层GaN的质量 ,达到器件制作的要求
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
文章介绍了一种led恒流驱动电路，由于恢复二极管的选用不当，造成了回路瞬时电流大，器件发热，效率低下的问题，通过仔细分析电路，找到了原因并加以解决。
https://www.alighting.cn/resource/20130124/126120.htm2013/1/24 14:20:05
如何提高大功率发光二极管(light emitting diode,简称led)的散热能力,是led器件封装和器件应用设计要解决的核心问题.详细分析了国内外大功率led散热封装技
https://www.alighting.cn/2012/3/13 14:48:47
该篇文章主要介绍了led光源驱动设计及周边器件的选择，主要有驱动ic的选择，电感选择，emc电感的选择，输出电容的选择，输入电容器的选择，肖特基二极管的选择，led恒流驱动器
https://www.alighting.cn/resource/2010820/V1154.htm2010/8/20 16:08:28
led 芯片测试方法还没有相应的标准，这样led芯片作为产品交货时，缺乏相应的技术要求来规范产品的质量等级和性能要求。
https://www.alighting.cn/2012/5/7 11:07:07
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的GaN基inGaN/GaN多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进
https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22
分析表明在老化过程中inGaN/GaN 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加，形成了增强的极化电场屏蔽效应，减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变
https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19
