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屏的均匀性越差，很难使屏体达到白平衡。目前主流恒流源芯片的位间电流误差(bit to bit)一般在+60%以内，(chip to chip)片间电流误差在±15％以内。
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2 光通量和发光效率的测量光源的光通量φ是指单位时间内通过4π立体角的可见光能量,它的单位是lm 。发光效率e 是指光源所发出的光通量与消耗的电功率p 之比,单位是lm/
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
图4是led发光效率的进化经纬，由图可知过去2～3年led的发光效率每年大约提高2倍左右，不过未来是否能持续保持如此高的成长倍数虽然令人质疑，不过大部份的日本led厂商却认为未来
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常抗静电大于700v的led才能用于led灯饰。 3、波长 波长一致的led，颜色一致，如要求颜色一致，则价格高。没有led分光分色仪的生产商很难生产色彩纯正的产品。 4、漏电电
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
体驱动电压1.5～4v，工作电流10-18ma，响应时间微秒级，可高频操作。同样照明的效果下，其耗电量是白炽灯泡的八分之一、荧光灯管的二分之一。就桥梁护栏灯为例，同样效果的一支日光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
响。图3为ca、sr比不同的情况下在460nm蓝光激发时该荧光粉的发射光谱。随着钙含量的增加，发射峰朝长波方向移动，且发射明显增强。图4为ca、sr比不同的情况下该荧光粉的激发光
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瓦,与其它结构的比较如图3所示。台湾地区紧随其后，最近几年发展很快，图4给出了ingaalp超高亮度led的几种新型结构。除外延片的内量子效率在不断提高外，主要体现在：随着芯片结
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射和温度升高，封装材料的透明度研究下降[1－4]。众所周知，长时间接受紫外线的辐射会降低许多聚合物的光学透明度，而gan系统的带间辐射复合会产生紫外线，所以认为紫外辐射引起封装料退
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号，所以消除了电磁干扰 (emi) 的影响。tps7510x 采用超小型 9 焊球 0.4mm 焊球间距芯片级封装 (wcsp) 与 3mm × 3mm qfn 两种封装版本，这种非
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条。在随后的生长过程中，外延片gan首先在gan视窗上生长，然后再横向生长于sio条 上。4.悬空外延片技术(pendeo-epitaxy)采用这种方法可以大大减少由于衬底和外延片层之
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