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本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
该文采用聚乙烯基咔唑(pvk)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(alq3)作为发光层,制备了结构为ito/pvk(0～60nm)/alq3(60nm)/mg:ag/al的有机发光二
https://www.alighting.cn/2013/6/5 14:40:41
综述了近年来国内外功率型led封装材料的研究现状,通过对现有功率型led封装材料的应用情况展开讨论,明确指出有机硅封装材料不可替代的作用及其存在的广阔的应用前景和巨大的经济效
https://www.alighting.cn/2013/6/4 15:24:03
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25
提出了一种热传导高、热膨胀匹配良好、低成本、大功率、高亮度led封装技术。该技术采用光电子与微电子技术相结合,利用背面出光的led芯片,倒装焊接在有双向浪涌和静电保护电路的硅基
https://www.alighting.cn/2013/5/23 11:36:13
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
