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样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或sic,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45
据高工led 产业研究所调查，一些中大功率的led芯片已经开始涨价，蓝宝石材料也出现短缺，对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说，并不是一个积极信号。目前led主流芯片制
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274709.html2012/5/16 21:27:31
献给行业人士。 硅基led之所以引起业界越来越多的关注，是因为它比传统的蓝宝石基底led的散热能力更强，因此功率可做得更大，cree就重点在发展硅基led，它目前存在的主要问题是
http://blog.alighting.cn/langshi/archive/2012/5/7/273708.html2012/5/7 17:55:08
得重大突破。目前led行业中，上游蓝宝石衬底产能过剩最为严重;中游封装产业产能相对过剩，因为抗风险能力最差，业内人士预计年底会有近10%的企业被淘汰;而下游led应用的整体表现最
http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/4/19/272413.html2012/4/19 10:57:34
是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/19/272395.html2012/4/19 9:12:24
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271811.html2012/4/10 23:37:26
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271806.html2012/4/10 23:37:11
法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间） 2.4蓝宝石衬底过渡法： 按照传统的ingan芯片制造方法在蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
