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统的电光转换效能达到约40%,对于提升系统色域及饱和度、降低材料成本等,都有非常显著的影响。两种不同的混色原理在传统彩色滤光片应用中, 单一像素乃由三个子像素所构成,每个子像素由一颗场
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为0．2-0．3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn 结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,led的发光强度会相应地减少1％左
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刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧
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后,仍能继续正常使用。得益于el显示器的固态结构特征,其工作温度可以达到惊人的-50摄氏度到+85摄氏度。不同于其他类型的显示技术,无需预热也无需昂贵的大功率加热器,el显示器在
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素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
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晶,向4-6英?挤较蚍⒄梗?以及降低杂质污染和提高表面抛光质量。3)sic衬底除了al2o3衬底外,目前用于氮化镓生长衬底就是sic,它在市场上的占有率位居第二,目前还未有第三种衬
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d设备还在完善和发展之中。国际上这些设备商也只是1994年以后才开始生产适合氮化镓的mocvd设备。目前生产氮化镓中最大 mocvd设备一次生长24片(aixtron公司产品)。国
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石al2o3和碳化硅sic衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比
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型)；环保、安全、长寿命(2-5万小时)；易维护,高显色指数(led光源在70－80之间,普通高压钠灯显色指数只有20－40左右,颜色失真严重)；耐开关易控制(低温使用－开启即
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