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关电容电荷泵并行地驱动leD，该电路通常需要采用4个0403型封装的1μf的陶瓷小电容，它提供了当今最为紧凑的解决方案，并且不需要电感器。图1所示为采用2.5×2.5mm qfn封
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入电压下最佳占空比的近似值： 其中rb为整流器电阻，与应用电路中的r11相同，在本应用中设定为1。vD为整流二极管D1的正向压降。 将已知数值代入上式得
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出大约3万粒左右的5mm leD的芯粒，然后再进行封装，测试，分拣，最后才能够得到可以使用leD产品。但在3英寸的外延片上制作的芯粒是可以分成很多bin的，像蓝色部分的芯粒是整块外延
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明，如图1所示。 （4）理论上具有与传统光源相比更高的发光效率，理论上ｌｅｄ的发光效率大于２００ｌｍ/ｗ，从而具有相当巨大的节能潜力。 （5）寿命更长，实验室寿命可达１０００００
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路电流源, (D) 一路电流源驱动串联leD。 图5.各个白色leD的正向电压(vf)对调节电流精度的影响不同，取决于调节电路的结构：(a)电压源与镇流电阻,(b)电
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率leD提高取光效率及散热能力。 封装设计 经过多年的发展，垂直leD灯（φ3mm、φ5mm）和smD灯（表面贴装leD）已演变成一种标准产品模式。但随着芯片的发展及需要，开
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么就必须克服它内部的正向压降(vf)。vf随着白光leD电流值的不同而不同，也会随着温度的变化而变化。一般情况下，在整个工作温度范围内，20ma白光leD的vf在2.5v至3.9
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器在6.5v至76v宽输入电压范围内保持125khz固定工作频率，是汽车应用的理想之选。亮度控制可以通过模拟(线性调节)或低频占空比(pwm)方式实现。 高亮度leD发展背
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于金属氟化物的复合阴极能够提高oleD的电子注入能力及量子效率。lif，mgf 2，caf2[5]，naf[6] ，csf/ca[7-8] 和 csf/yb/ag[9]等都被证
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图1所示的电路在电压范围为2.7v(3个碱性原电池的使用寿命终点)到16.5v(12v汽车系统的最大电压)条件下，能够启动并运行一个工作电流为1a的leD。在上述电压范围，leD
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