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片。该驱动器为132×64点阵oleD图形显示而设计，包括行驱动器、列驱动器、电流参考发生器、对比度控制、振荡器和几个mcu接口模式。工作逻辑电压为2．4～3．5 v；具有丰富的软
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134159.html2011/2/20 23:11:00
换成为rs 485信号，采用带屏蔽层的同轴电缆传输到leD子模块上。转换所用接口芯片为max485，该芯片工作于5 v电压下，最高传输速度可达到2.5 mb／s，传输距离可达
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134156.html2011/2/20 23:10:00
要。 目前的手机相机主要采用 leD闪光灯。闪灯用的leD只需要3.5～4.5v直流电压、120～250ma电流就可以发出2000～7500mcD的高亮度光。leD低压闪光灯电路简单、高
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134157.html2011/2/20 23:10:00
动器、ccfl背光电源转换器、照相闪光灯充电器典型产品的技术特征与应用作分析介绍。 1、1×/5×7通道电荷泵白光leD驱动完全背光解决方案 aps4070是一款应用
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134155.html2011/2/20 23:09:00
由锂离子电池直接供电，典型电压范围为 3.0 ~ 4.2v ，可同时为最多 5 个 leD 供电，每个电流为 20ma。图 2 显示了典型的白光 leD 驱动器 tps61062，这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134152.html2011/2/20 23:08:00
管外量子效率不高的原因很大程度上在于氮化物外延层和空气的反射系数差异较大导致的全反射问题。根据报道， gan 和空气的反射系数分别是 2.5 和 1 。因此在 ingan-ga
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右）是一个强宽谱带，它的发射峰与 eu2+ 浓度相关，在 583~603nm 范围。这类激发和发射光谱是 eu2+ 的 4f～7 4f b 5D 跃迁。荧光体的发光强度随 eu2
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关电容电荷泵并行地驱动leD，该电路通常需要采用4个0403型封装的1μf的陶瓷小电容，它提供了当今最为紧凑的解决方案，并且不需要电感器。图1所示为采用2.5×2.5mm qfn封
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134149.html2011/2/20 23:07:00
入电压下最佳占空比的近似值： 其中rb为整流器电阻，与应用电路中的r11相同，在本应用中设定为1。vD为整流二极管D1的正向压降。 将已知数值代入上式得
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出大约3万粒左右的5mm leD的芯粒，然后再进行封装，测试，分拣，最后才能够得到可以使用leD产品。但在3英寸的外延片上制作的芯粒是可以分成很多bin的，像蓝色部分的芯粒是整块外延
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