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垂直结构led技术面面观

由于蓝宝石基板的导热係数差,影响led的发光效率。为了解决led的散热难题,未来有可能将主要采用垂直结构led的架构,促进led产业的技术发展。关于垂直结构led技术相信大家都有

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

led芯片的技术发展状况

性,提高了芯片寿命。2)键合技术  algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石,它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温,可通过减薄衬底或去

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

用于lcd背光的led技术进步

d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子,会降低效率。  迄今为止,hbled通常采用两种主要技术制成:ingan和allngap(也称

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38

全面详解led死灯的多种原因

电的多少,与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关,秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象,这种静电放电的电压就有三千伏。  碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏,蓝宝石

  http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271122.html2012/4/10 17:21:37

led灯具向室内照明发展的技术要求

是芯片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动。首先是芯片,目前,led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新

  http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32

全面分析led照明灯具发展向室内照明产品技术要求

片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动。首先是芯片,目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新

  http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49

全面分析led照明灯具发展向室内照明产品技术要求

片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动。首先是芯片,目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/3/22/269114.html2012/3/22 9:54:44

led照明产业现状及发展趋势简析

光效率达到 40~50lm/w;1990年基于sic材料的蓝光led出现,发光效率为0.04lm/w;90年代中期出现以蓝宝石为衬底的gan蓝光led,到目前仍使用该技术。3 le

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268550.html2012/3/16 17:28:21

用于lcd背光的led技术进步

d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子,会降低效率。  迄今为止,hbled通常采用两种主要技术制成:ingan和allngap(也称

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42

led芯片的技术发展状况

性,提高了芯片寿命。2)键合技术  algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石,它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温,可通过减薄衬底或去

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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