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led封装工艺之led分选两种方法介绍

速分选、这样做的优点是快速,但缺点是可***性比较低,容易出错,因为在测试与分选两个步骤之间通常还有衬底减薄和芯片分离的工艺过程,而在这个过程中,外延片有可能碎裂、局部残缺碎裂或局

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320063.html2013/6/27 16:27:48

led发展编年史

管。1993年,在日本日亚化工(nichia)工作的中村修二成功把氮渗入,造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化镓(inGaN)、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01

转:解析led照明产业在深圳的发展现状

成了电子元器件、安防电子和电脑、mp3、手机等数码消费类产品的电子信息产品的集散地。“深圳led国际采购交易中心”的成立将形成产业优势,产品从上游的材料、外延和芯片到中游的封装,再

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/6/24/319830.html2013/6/24 14:54:20

解决大规模制造成led照明行业核心问题

为引人重视。2012年下半年至今,德豪润达先后突击雷士照明、出资维美盛景等。德豪润达现已完成了从led外延片、芯片到封装再到使用(灯具、显示屏)的一体化产业链规划。  结合方向存不

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/6/24/319788.html2013/6/24 11:48:47

led专利竞争日益激烈 企业需警惕

亿美元。在高亮度led产品中,GaN基芯片由于产品附加值高,各国(地区)竞相扩大产能。GaN芯片的产能主要集中在台湾和日本,但中国大陆和韩国产能增长迅速,也成为重要的生产区

  http://blog.alighting.cn/sbf6103/archive/2013/6/22/319750.html2013/6/22 23:28:55

led产业加速扩张

助的双重激励下,led产业进入加速扩张期,包括扬州、芜湖在内多个内地城市为了建立 led产业基地,鼓励led厂商特别是上游外延片芯片厂商入驻,给予每台mocvd设备的补贴达到800

  http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/6/21/319634.html2013/6/21 16:56:47

led行业瓶颈

p衬底材料的技术和外延片生产设备方面,国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段,而在最关键的白光、大功率 led灯的热平衡问题、持久高

  http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/6/21/319633.html2013/6/21 16:56:05

led行业瓶颈

p衬底材料的技术和外延片生产设备方面,国产led照明产业存在明显瓶颈。我国企业led领域的自主创新和专利主要集中在封装阶段,而在最关键的白光、大功率 led灯的热平衡问题、持久高

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led产业加速扩张

助的双重激励下,led产业进入加速扩张期,包括扬州、芜湖在内多个内地城市为了建立 led产业基地,鼓励led厂商特别是上游外延片芯片厂商入驻,给予每台mocvd设备的补贴达到800

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oled照明跳出照明光源"点"的束缚

发的oled照明的截面。由负极、上引层、有机物制成的发光层、基层、正极、玻璃等组成的表面基板结构可以发出光线。  正负电极之间3层的厚度仅为150纳米(纳为10亿分之1)。均匀形

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/6/20/319567.html2013/6/20 19:28:01

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