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量以光的形式激發釋出。自從1960年代利用gaasp液相外延技術生產出第一顆實用的紅光發光二極體，直到1993年日本日亞化學公司發展出氮化鎵(GaN)發光二極體，突破藍光發光二極體
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
内的热场分布,将有利于获得均匀分布的组分与厚度,进而提高了外延材料光电性能的一致性。2)lgainn氮化物半导体是制备白光led的基石,GaN基led外延片和芯片技术,是白光le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
多技术和观念上的突破，si衬底GaN基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基GaNled外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
绍了si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的进展情况。 关键词：GaN；si衬底；外延生长 中图分类号：tn316 文献标识码：a 文章编号：1003
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
法把外延层转移到导电基板上，再用si腐蚀液把si衬底腐蚀去除并暴露n型GaN层，使用碱腐蚀液对n型面粗化后再形成n型欧姆接触，这样就完成了垂直结构led芯片的制作。结构图见图
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如GaN、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓用于GaN生长的最理想衬底是GaN单晶材料,可大大提高外延膜的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
