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led散热铝基板基础知识

目前,led应用的散热问题是led厂家最头痛的问题。散热基板是一种提供热传导的媒介,led→散热基板→散热模块,它可以增加led底部面积,增加散热面积,主要由铜箔电路/陶瓷粉末

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274704.html2012/5/16 21:27:15

led散热铝基板基础知识

目前,led应用的散热问题是led厂家最头痛的问题。散热基板是一种提供热传导的媒介,led→散热基板→散热模块,它可以增加led底部面积,增加散热面积,主要由铜箔电路/陶瓷粉末

  http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/7/27/283562.html2012/7/27 15:09:17

led外延片技术的成功需要具备三个条件

led红外光灯延片技术的成功需要具备以下三个条件: 1、对movcd设备的精确掌握:movcd由于各项成本很高,保养周期以及配件的准备充分都很重要。 2、对led红外灯外延

  http://blog.alighting.cn/110231/archive/2012/8/16/286215.html2012/8/16 9:33:42

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

谁来终结铝基板在led方面的使命

谁来终结铝基板在led方面的使命 铝基板在照明行业大功率的应用,它只是一个过渡产品! 一、铝基板在照明行业是如何兴起的? 单芯片功率照明最早是由lumileds公司

  http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/30/46666.html2010/5/30 6:30:00

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