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为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分析了光
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
led产业对大陆厂商而言，已告别高毛利时代，如何保持和扩大自身获利，是厂商眼前的问题。整体而言，「竞争与合作、降价与提升企业利润」将是2013年大陆led产业发展的主旋律;而产业链
https://www.alighting.cn/resource/20130107/126199.htm2013/1/7 9:34:28
本文转载自新世纪led论坛一篇研究报告，文中详述了中国led衬底材料市场调研及投资发展前景，极尽细致详尽。推荐给业内人士参考。
https://www.alighting.cn/2012/12/4 15:27:54
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
佛山市国星半导体技术有限公司(以下简称“国星半导体”)为佛山市国星光电股份有限公司(以下简称“国星光电”或“公司”)的控股子公司，因其发展需要，公司拟向国星半导体提供3 亿元的委托
https://www.alighting.cn/2012/8/21 11:59:27
led光源是否能全面进入照明领域，其光源的成本是最关键的，从目前看，不同led产品，比传统产品的成本差价还有5~10倍，而且由于主要技术指标还要进一步提高，不断提出采用新结构、新材
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127456.htm2011/7/6 9:50:02
