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led的外延片生长技术

长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于led外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00

led贴片胶如何固化

度)可能要求一个延时咛期,允许良好的胶点形成。另外,对聚合物范本的非接触式印刷(大约1mm间隙)要求最佳的刮板速度和压力。金属模板的厚度一般为0.15~2.00mm,应该稍大于(+

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229945.html2011/7/17 23:28:00

分析el背光驱动工作原理

有体积孝重量轻、温度低、耗电少、无闪烁、发光均匀等特性,现已逐渐取代传统的led背光方式。el 背光系统是由el灯片和el驱动器组成。el灯片的厚度一般小于0.2mm,是由绝缘基

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00

静电在led显示屏生产过程中的危害及防护措施

2)在焊接时,电烙铁应尽可能采用防静电低压恒温烙铁,并保持良好的接地性。(3)在组装过程中,尽可能使用有接地线的低压直流电动起子(俗称电批).(4)保证生产拉台、灌胶台、老化架等有

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00

发光二极管封装结构及技术

包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘 结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管

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sed显示技术

d业界把自己的产品尺寸定在30~40英寸,这是因为两年前这是lcd和pdp间的空档。现在的形势已经完全不同,这已经成了lcd的主攻战常pdp还可以向50英寸、60英寸退守,而sed

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

后,仍能继续正常使用。得益于el显示器的固态结构特征,其工作温度可以达到惊人的-50摄氏度到+85摄氏度。不同于其他类型的显示技术,无需预热也无需昂贵的大功率加热器,el显示器在

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氮化镓衬底及其生产技术

品化的设备出售。目前国内外研究氮化镓衬底是用mocvd和hvpe两台设备分开进行的。即先用mocvd生长0.1~1微米的结晶层,再用hvpe生长约300微米的氮化镓衬底层,最后将原

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

led与太阳能结合的照明技术

等特点。1. 太阳能光伏发电的原理:太阳能光伏发电是依靠太阳能电池组件,利用半导体材料的电子学特性,当太阳光照射在半导体pn结上,由于p-n结势垒区产生了较强的内建静电场,因而产

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我国半导体照明应用现状

有潜力的市常(3)显示屏显示屏市场规模达50亿元。我国led显示屏起步较早,市场上出现了一批具有较强实力的生产厂商,已经形成了一个配套齐全的成熟行业。目前我国led显示屏已经广泛应

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