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入电压下最佳占空比的近似值： 其中rb为整流器电阻，与应用电路中的r11相同，在本应用中设定为1。vD为整流二极管D1的正向压降。 将已知数值代入上式得
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
a (3.4v电压下)。 为保证可靠性，驱动leD的电流必须低于leD额定值的要求，典型最大值一般为30ma，但是，从图2可以看出：当环境温度升高时所允许的额定电流会降低，通常，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134145.html2011/2/20 23:06:00
好地产生光，以及有更好的方法从芯片及其封装中获得光源。同样地，20ma白光leD的售价已经大幅降低，这种leD刚推出时，批购报价为1美元。而目前有可能以不到30美分的批购价买到2
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134147.html2011/2/20 23:06:00
究兴趣[1-2] 。目前，在提高oleD亮度、发光效率、色纯度、寿命和稳定性等方面，已经取得了很大的进展。 oleD是电子和空穴分别从阴极和阳极注入，并在有机发光层中复合产生激
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1 模块框图 vgg12864e-s001 模块的oleD 显示屏为128 列，64 行结构。使用两片列驱动控制器，每片有64 路输出，分别驱动1-64 列和65-128 列；使
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下： ◆大型leD显示屏上的像素数以万计，随着显示面积增大，电路结构随之增大。 ◆为了保证一定的显示质量，帧频应在30帧／s以上。对于一个512×252的单色leD屏，每秒的数据传输
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面小、光束狭窄、亮度高等特点决定了其检测的特殊性，为了应对这个问题，cie分别成立了“tc2-45 leD测量”和“tc2-46 cie/iso leD强度测量标准”两个技术委
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高，发光二极管亮度将不再继续随着电流成比例提高，即显示出热饱和现象。另外，随着结温的上升，发光的峰值波长也将向长波方向漂移，约0.2-0.3nm/℃，这对于通过由蓝光芯片涂覆ya
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推动移动电话显示由单色转换为彩色的一个主要趋势是拍摄功能的集成。最初这些成像器件的分辨率相当有限，同时图像质量也不佳。但随着技术的发展，分辨率由30万像素的vga等级进展到100
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法。 如今“标准的”可拍照手机能提供640×480像素分辨率以实现30万像素的图像大小。在2004年初，当时最先进的可拍照手机提供了1,600×1,200像素的图像——大约200
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