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堆叠式leD结构实现紧凑型多通道光学耦合器

路。大多数光学耦合器都经过ul1577、csa和 iec/Din en/en 60747-5-2列明的基本安全标准认证。 在某些情况下,人们特别希望提高一个封装中的光学耦合器数

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00

白光leD的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

合物半导体,gan层属于近紫外leD活性层,因此适合使用光学评鉴方式研究。如表1所示gaas、znse等常用的ⅲ-ⅴ(三五族)、ⅱ-ⅵ(二六族) 化合物半导体与gan最大差异

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00

基于微控制器的leD驱动器拓扑、权衡和局限

统leD的输出功率一般都限定在50毫瓦以内,而高亮度leD可达1-5瓦。 图1显示了hi-leD内部电压与电流的典型关系。在正向电压 (vf)超出内部门槛电压前,hi-leD上几

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00

leD封装结构及其技术

D的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,leD的发光强

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00

2048像素leD平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型leD智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度leD平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134090.html2011/2/20 22:12:00

玩转升压调节器——预测leD驱动器反馈环路

a的电压调节器,Dc增益计算得出的结果约为30Db。对比一下,驱动10个白光leD((vo ≈36v)的电流调节器,电流也为1a、输入也为12v,其Dc增益仅为6Db。 放大的电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134085.html2011/2/20 22:09:00

外贸业务必看知识

钱。我已经这样子搜索有1年左右时间,总结的大概原则如下1, 耐心和勤奋我在这个新公司已经有1个月, 绝对很勤奋, 我每天发的邮件有100-400封, 而且每周必有1次follo

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/2/20/133971.html2011/2/20 8:43:00

扬州白金汉宫

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白光leD头灯技术发展与目前研究现况

出,在2004年大约有30%的新车款以leD作为车尾灯(rear tail lamp)或cmhsl(center high-mount stop lamps),大部份新出厂汽车及大

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133881.html2011/2/19 23:39:00

高亮度leD驱动器的设计优化

大,如白光面板的电压范围为 16 到 24v。电压的温度系数为 -12mv / 摄氏度,也就是说如果在 25 度室温下面板的电压为 17v,那么在温度为 50 度时电压将为 16.

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