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常用元器件的识别

中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极 管(如 1N4148)、肖特基二极管(如bat85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方

  http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/11/2/111438.html2010/11/2 9:57:00

gaiser/ks瓷嘴

谈! 瓷咀peco: N1015-90-30-15 (8-90-20-l-p) 瓷咀peco: N1217-80-30-17 (8-90-30-l-m)

  http://blog.alighting.cn/szxys119/archive/2009/7/17/4495.html2009/7/17 12:25:00

al-N共掺杂zNo电子结构和光学性质

以提高N在zNo的固溶度。研究表明:N掺杂zNo体系,由于N-2p和zN-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-N

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55

led的发光原理

.此外 ,在一定条件下 ,它还具有发光特性 .在正向电压作用下 ,电子由 N区注入 p区 ,空穴由 p区注入 N区 ,进入对方区域的少数载流子的一部分与多数载流子复合而发光 .pN

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109149.html2010/10/20 17:25:00

mocvd法生长ga、p掺杂的zNo薄膜

采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zNo薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到N、p

  https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29

氧化对gaN基led透明电极接触特性的影响

研究了热退火对iNgaN/gaN多量子阱led的Ni/au p gaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/au接触特性显示出可逆现象。Ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

《2010年中国半导体照明企业品牌发展报告》

led( “lightemittiNgdiode” )的缩写,中文译为“发光二极管” ,是一种可以将电能转化为光能的半导体器件。led 的核心部分是由 p 型半导体和 N 型半导

  https://www.alighting.cn/resource/20110406/127789.htm2011/4/6 16:03:59

韩国首尔的首尔塔

首尔塔位于韩国首尔特别市龙山区的南山,前称首尔塔或汉城塔,高236.7米,建于1975年,是韩国著名的观光点。 N首尔塔的N既是南山(NamsaN)的第一个字母,又有全新(Ne

  http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2012/2/25/264830.html2012/2/25 10:04:38

汽车和挂车灯光和外部照明信号装置安装规定

这是《2007汽车和挂车灯光和外部照明信号装置安装规定》标准,本标准规定了汽车及挂车的外部照明和光信号装置安装的技术要求、试验方法和检验规则等,适用于m、N和o类汽车及挂车等。欢

  https://www.alighting.cn/resource/2013/10/10/94938_55.htm2013/10/10 9:49:38

凌力尔特发布-55oc至150oc工作结温范围驱动器

近日, 凌力尔特公司 (liNear techNology corporatioN) 推出高端、高频率 N 沟道 mosfet 栅极驱动器 ltc4440a-5,该器件能以高

  https://www.alighting.cn/pingce/20131012/121862.htm2013/10/12 12:05:58

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