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大功率led陶瓷封装技术研究

本文通过使用a1N和al203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板,主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系,并和铝基覆铜板作

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47

退火温度及退火气氛对zNo薄膜的结构及发光性能的影响(英文)

采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zNo薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(N2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条

  https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49

光电传感器在节能led灯具设计中的应用

各种电子传感器与led 灯具的奇妙结合,可以创新设计出N 款新颖的led 灯具、新奇的led 照明系统,为人类创造崭新的光世界。介绍光敏传感器、红外热释电传感器、颜色传感器与le

  https://www.alighting.cn/resource/20130407/125760.htm2013/4/7 15:45:14

gaN氮化镓(gallium Nitride)

由镓(ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365Nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gaN主要应用于光元件。通过混合铟(iN)和

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

浅析:led外延片介绍及质量辨别

良品的外延片就要开始做电极(p极,N极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测,

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56

肖特基二极管简介

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)a为正极,以N型半导体b为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

  https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05

芯片大小和电极位置对gaN基led特性的影响

小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离N电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45

【led术语】gaN(gallium Nitride)

由镓(ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365Nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gaN主要应用于光元件。通过混合铟(iN)和

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27

凌力尔特公司推出的双路理想二极管

凌力尔特公司推出的双路理想二极管“或”控制器ltc4355允许在高可用性系统中用N沟道mosfet取代肖特基二极管,并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。

  https://www.alighting.cn/news/2007419/V2343.htm2007/4/19 9:35:15

建筑中的自然光(7)——孟加拉国议会大厦

孟加拉国议会大厦位于孟加拉达卡(90° 24′e,23° 51′N),属热带,有夏季季风期,并且周期性地出现具有破坏性的旋风。当地建筑遮阳十分重要,在运用光的同时还要避免大

  https://www.alighting.cn/resource/20160715/141922.htm2016/7/15 9:57:55

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