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使材料利用率降低、成本增加。由于p型gan掺杂困难，当前普遍采用在p型gan上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
过芯片（chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
灯，同类负载太集中，会对电网产生较严重的污染。对于30瓦~40瓦的leD驱动电源，据说不久的将来，也许会对功率因素方面有一定的指标要求。 4．驱动方式 现在通行的有两种：其
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120509.html2010/12/13 22:45:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gan层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
8， 英制叫法是1210. 5050：这是公制叫法，即表示leD珠宝灯贴片灯珠的长度是5.0mm， 宽度是5.0mm又叫5050. 2、leD珠宝灯灯珠灯数 30灯、60
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120503.html2010/12/13 22:37:00
率：约1oct/min； ——持续时间：30min。 试验后检查受试设备应无损坏和紧固件松动脱落现象，通电设备功能正常。 6.2.5自由跌落试验 试验应符合5.2.
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120496.html2010/12/13 22:33:00
5%以上。 中国半导体照明市场增长速度远高于全球市场增长速度。 日前，中国《半导体照明节能产业发展意见》指出： 到2015年，半导体照明节能产业产值年均增长率在30%左右;
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120497.html2010/12/13 22:33:00
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120498.html2010/12/13 22:33:00
准，然而，鼓励根据本标准达 成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 gb7000.1-2001灯具一般安全要求与试验
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120494.html2010/12/13 22:32:00
c62031的要求，leD模组 用交流或直流供电的电子控制装置应符合iec61347-2-13和iec62384的要求。 5.6电磁兼容性要求 leD路灯的插入损耗、骚扰电压
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120495.html2010/12/13 22:32:00
