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oled与pled材料共同的特性为共轭的化学结构，具有高度的荧光效率，唯两者的分子量差异相当大，小分子材料其分子量一般约在数百，而高分子则在数万至数百万之间。就材料的取得而言，小
https://www.alighting.cn/2014/7/1 11:33:51
本文简要介绍了uv led紫外光固化技术及该项技术在电子行业粘合和涂装应用领域的诸多优势。产品制造商、设备制造商和化学制剂配置商阅读本文后可以了解uv led紫外光固化技术的优势
https://www.alighting.cn/resource/20140617/124505.htm2014/6/17 13:51:49
为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利，各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术，目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的，但是，uv led 仍
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31
的在于研究并找到能匹配这两种二极管的荧光粉，使其在蓝光(~460nm)或近紫外光(~400nm)区域可被有效激发，并且具有较高的发光效率和化学稳定
https://www.alighting.cn/resource/2013/11/11/134413_07.htm2013/11/11 13:44:13
采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
一份出自福州大学电气工程与自动化学院，作者是陈为/博士，关于介绍《磁性元件模型与设计》的技术讲义资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:55:47
尔谱,研究了电气石衬底的化学组成和fe离子的精细结构,zno的片状生长与极性电气石的表面电场作用相关,随着电气石中fe离子含量、价态和占位的变化,晶体沿c轴的固有电偶极矩越高,表
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/5/30 10:01:53
用化学共沉淀法一次煅烧工艺合成了(y1-x-y,gdy)2o3∶xeu3+(x=0.06～0.10,y=0,0.20～0.25)系列红色荧光粉。用xrd、sem和荧光分光光度计,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
