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奈米线uv led可望克服效率衰减问题

基于AlGaN的uv led由于存在较低的内部量子效率、低撷取效率、低掺杂效率、极化电场大以及差排密度外延高等缺点,限制了uv led的高功率应用...

  https://www.alighting.cn/pingce/20170217/148247.htm2017/2/17 10:22:52

tokuyama公司启动aixtron mocvd

2007年10月2日,aixtron宣布aix 200/4 rf-s mocvd在日本的tokuyama公司成功启动运行,该系统安装在tokuyama的研发中心,用于AlGaN

  https://www.alighting.cn/news/20071003/118727.htm2007/10/3 0:00:00

研究发现:这种方法能够提高基于铝镓氮 led 的效率

据报道,基于铝镓氮(AlGaN)的深紫外led因在杀菌消毒、水净化、光疗和不依赖太阳光的高速光通信领域的潜在应用而备受研究者的关注。

  https://www.alighting.cn/news/20190715/163506.htm2019/7/15 9:57:55

王军喜:加大深紫外材料生长和器件应用的研究开发

未来主要研究目标是研究高质量的深紫外材料外延生长技术;高al组分AlGaN材料生长技术和掺杂技术;深紫外led结构设计;波长300nm以下led器件芯片制作工艺和封装技术;面向医

  https://www.alighting.cn/news/20100512/85867.htm2010/5/12 0:00:00

浅析芯片发展瓶颈 高亮度led芯片硅衬底渐成主流

高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系,红、橙、黄、绿色的algainp体系,绿色和蓝色的ingan体系,以及紫外光的gan和AlGaN体系。目前ingan体

  https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22

国星光电宣布两项省重点领域研发计划项目获批立项

国星光电发布公告宣布其牵头承担的“硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超高亮度微显示技术研究”项目获

  https://www.alighting.cn/news/20190711/163479.htm2019/7/11 9:45:29

研究进展:中国科学技术大学成功突破紫外led性能

中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组和中国科学院宁波材料所郭炜和叶继春课题组发现,为了提升紫外led的iqe数值,可以通过AlGaN材料生长的衬底--蓝宝石,也就是al

  https://www.alighting.cn/news/20191123/165251.htm2019/11/23 13:54:48

中国科大在uv led研究中取得新进展

y enhanced ultraviolet luminescence of AlGaN wavy quantum well structures grown on larg

  https://www.alighting.cn/news/20191204/165456.htm2019/12/4 9:27:41

研发大热门:深紫外led医疗

深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波,在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比,基于氮化铝镓(AlGaN)材料的深

  https://www.alighting.cn/news/20131121/n235158444.htm2013/11/21 10:23:08

国星光电:国星半导体已申请200多篇氮化镓专利

近日,国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示,硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超

  https://www.alighting.cn/news/20200226/166729.htm2020/2/26 10:53:56

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