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p型掺杂剂。首先在si（111）衬底上外延生长aln缓冲层，然后依次生长n型gan层、ingan/gan多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型gan层，接着在p面制作ag反射镜并形
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
衬底上外延生长aln缓冲层，然后依次生长n型gan层、ingan/gan多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型gan层，接着在p面制作ag反射镜并形成p型欧姆接触，然后通过热压焊方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、ingan、alingan），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与inn,aln形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、ingan、alinga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
i amano及isamu akasaki教授合作研究： 有关制备高效率紫外发光二极管的关键技术, 阐明了克服晶格失配应力生长无龟裂的AlGaN薄膜的机理，描述了一系列新颖衬底与ga
http://blog.alighting.cn/205341/archive/2014/3/11/349147.html2014/3/11 17:43:20
有关制备高效率紫外发光二极管的关键技术, 阐明了克服晶格失配应力生长无龟裂的AlGaN薄膜的机理，描述了一系列新颖衬底与gan之间的界面结构，发现了由掺杂造成的AlGaN/gan多
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/11/349148.html2014/3/11 17:53:32
