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赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型AlGaN和n型AlGaN之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
有关制备高效率紫外发光二极管的关键技术, 阐明了克服晶格失配应力生长无龟裂的AlGaN薄膜的机理，描述了一系列新颖衬底与gan之间的界面结构，发现了由掺杂造成的AlGaN/gan多
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/11/349148.html2014/3/11 17:53:32
i amano及isamu akasaki教授合作研究： 有关制备高效率紫外发光二极管的关键技术, 阐明了克服晶格失配应力生长无龟裂的AlGaN薄膜的机理，描述了一系列新颖衬底与ga
http://blog.alighting.cn/205341/archive/2014/3/11/349147.html2014/3/11 17:43:20
深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，半导体深紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。以AlGaN材料为有源
https://www.alighting.cn/news/20140307/87319.htm2014/3/7 17:00:16
深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比，基于氮化铝镓(AlGaN)材料的深
https://www.alighting.cn/news/20131121/n235158444.htm2013/11/21 10:23:08
高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系，红、橙、黄、绿色的algainp体系，绿色和蓝色的ingan体系，以及紫外光的gan和AlGaN体系。目前ingan体
https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种gan或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的AlGaN样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了AlGaN势垒层的应变弛豫度对高al含量AlGaN/gan高电子迁移率晶体管(hemt)中的导带结构、电子浓
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55
型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与inn,aln形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、ingan、alinga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
