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续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、ingan、alingan），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
衬底上外延生长aln缓冲层，然后依次生长n型gan层、ingan/gan多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型gan层，接着在p面制作ag反射镜并形成p型欧姆接触，然后通过热压焊方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
p型掺杂剂。首先在si（111）衬底上外延生长aln缓冲层，然后依次生长n型gan层、ingan/gan多量子阱发光层、p型AlGaN层、p型gan层，接着在p面制作ag反射镜并形
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
未来主要研究目标是研究高质量的深紫外材料外延生长技术；高al组分AlGaN材料生长技术和掺杂技术；深紫外led结构设计；波长300nm以下led器件芯片制作工艺和封装技术；面向医
https://www.alighting.cn/news/20100512/85867.htm2010/5/12 0:00:00
2007年10月2日，aixtron宣布aix 200/4 rf-s mocvd在日本的tokuyama公司成功启动运行，该系统安装在tokuyama的研发中心，用于AlGaN
https://www.alighting.cn/news/20071003/118727.htm2007/10/3 0:00:00
2007年9月6日，由日本理化学研究所(riken)与崎玉大学（saitama university）合作组成的研究团队开发出波长227.5 nm、输出0.15mw的紫外led（u
https://www.alighting.cn/resource/20070908/128524.htm2007/9/8 0:00:00
