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氮化铟镓(InGaN)是蓝光led的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physica
https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22
结果表明：InGaN基白光led蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。
https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54
据了解，晶能光电长期致力于研制gan-on-si mocvd生长技术，该公司总部坐落于江西南昌，本次演示的是一款冷白光led，在350ma电流下光输出超过100流明，采用1x1mm
https://www.alighting.cn/news/20090921/120400.htm2009/9/21 0:00:00
根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以InGaN等gan类半导体为发光层的蓝色led和绿色led的外部量子效率降低的原因之一。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128317.htm2010/8/17 15:38:38
vishay intertechnology公司推出采用氮化铟镓(InGaN)技术、具备低电阻及高光功率特性的全新暖白色smd led──vlmw611..与vlmw621..系
https://www.alighting.cn/news/20080314/119690.htm2008/3/14 0:00:00
王江波也指出了ingam基led芯片技术研究重点与挑战，主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光led效率提升等三个方面。
https://www.alighting.cn/news/20140610/87370.htm2014/6/10 11:11:44
本文为台湾新世纪InGaN led chips (12×12) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127381.htm2011/7/28 16:45:26
求。vlhw4100使用超亮InGaN技术，在20ma电流下的发光强度为4500mcd至11250mc
https://www.alighting.cn/pingce/20100902/122989.htm2010/9/2 11:37:07
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的led在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。
https://www.alighting.cn/news/200932/V18927.htm2009/3/2 10:40:12
总部位于日本四国德岛县阿南市的led大厂日亚化（nichia），是全球最大的InGaN系led厂商，其专利商品白光led产品佔营收比重高达一半，而日亚化的萤光粉事业也是公司获利金
https://www.alighting.cn/news/20070911/93130.htm2007/9/11 0:00:00
