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欧司朗光电半导体将扩大两家芯片厂规模和产能

欧司朗光电半导体在扩大两家芯片制造厂规模的同时,还将它们升级为 6 英寸晶圆制造基地,从而大幅提高产量。其中,马来西亚槟城基地正在兴建一座生产大楼,而德国雷根斯堡基地则正在重新划拨

  https://www.alighting.cn/news/20110307/115716.htm2011/3/7 16:35:42

使用荧光颜料实现白光led的研究

研究了利用荧光颜料和InGaN蓝光芯片制成掺杂led,根据光转换原理,得到白光led的可能。文章首先对比了普通方法和二次点胶法封装的led,表明二次点胶法工艺复杂,封装的led亮

  https://www.alighting.cn/resource/20130402/125779.htm2013/4/2 16:10:14

高亮度led芯片的市场发展及瓶颈浅析

目前,国际led大厂在大功率蓝光芯片方面有着较为明显的优势,而国内led芯片企业目前主要是在中小功率蓝光芯片方面有较大的发展,但由于前几年的过度投资引起了产能过剩,导致中小功率蓝光

  https://www.alighting.cn/news/20130329/88386.htm2013/3/29 10:02:52

欧司朗扩大产能 转移并扩展芯片制造

欧司朗两座芯片制造厂将转成 6寸晶圆厂,同时扩展这两个厂的规模,借此大幅提升产能。

  https://www.alighting.cn/news/20110311/115954.htm2011/3/11 9:43:05

gan基功率led电应力老化早期的退化特性

InGaN/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小,绿光led到6小时隧穿电流最小。

  https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34

mocvd生长gan基蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量比是

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

2006年大陆半导体照明产业最新数据

截至 2006 年 12 月,我国有十余家外延芯片厂商已经装备 mocvd ,投入生产的总计数量为 40 台。按照各厂商的扩展计划, 2007 年预计另有 15 台 mocvd 陆

  https://www.alighting.cn/news/20070618/92240.htm2007/6/18 0:00:00

vishay 新款led 用超亮InGaN技术

日前,vishay 宣布,推出一款新型白光、无散射的3mm led--vlhw4100,该led针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。

  https://www.alighting.cn/news/201092/V25031.htm2010/9/2 10:22:20

InGaN_gan多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

具有三角形InGaN/gan 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结构

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

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