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vishay推出新型高强度smd led系列

效的InGaN

  https://www.alighting.cn/news/20070224/119017.htm2007/2/24 0:00:00

vishay高强度白光表面贴装led系列

为满足对白光led日益增长的需求,vishay公司宣布推出基于蓝宝石的新系列高强度白光smd led,这些器件以极低的价格提供了高效的InGaN技术。

  https://www.alighting.cn/news/20070405/120388.htm2007/4/5 0:00:00

最新研究:InGaN量子井在led的局限性

氮化铟镓(InGaN)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04

半导体黄光led技术取得突破性进展

最近南昌大学江风益课题组在photonics research 上发表了文章:efficient InGaN based yellow light-emitting diode

  https://www.alighting.cn/news/20190301/160592.htm2019/3/1 14:45:25

英国研究团队micro led领域最新研究成果!

英国谢菲尔德大学研究学者发表了其在micro led领域的最新研究成果,开创出新的绿光InGaN micro led制造方法,能够实现高亮度及高密度的micro led阵列。

  https://www.alighting.cn/news/20200204/166356.htm2020/2/4 9:41:19

研究发现加入硼可解决led发光效率下降现象

密西根研究团队11月发表最新研究,发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (InGaN) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大,解决发光效率随

  https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13

gan led量子阱光发射模型

在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

非极性gan led性能获重要突破

InGaN led在高工作电流下创输出功率新高,且同时具有41%的外量子效率(eq

  https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00

日亚化学:515nm激光二极管打破记录

日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的gan基板,配合工艺与结构的改良,制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管,打破先前电激发氮化铟镓(InGaN)激光器所保持的50

  https://www.alighting.cn/news/2009618/V19997.htm2009/6/18 11:31:23

中科院科学家利用应变量子点让led发白光

n),能让氮化铟镓(InGaN)晶粒发出的光由绿转白,制作出白光发光二极管(le

  https://www.alighting.cn/resource/20090505/128690.htm2009/5/5 0:00:00

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