站内搜索
相使用对方三五族半导体发光二极管led的技术专利，其中包含蓝光InGaN(氮化铟镓)led与四元algainp(磷化铝镓铟)led的技术。未来晶电及广镓(8199)均可以使用丰田合
https://www.alighting.cn/news/20100917/104648.htm2010/9/17 0:00:00
磷转换(pc) 琥珀色led，通过将一个InGaN led发出的蓝光加磷来下转换(down-conversion)成更长波长光，通过调整不同工艺来产生冷白或暖白色的光(从蓝光led发
https://www.alighting.cn/news/20090730/119372.htm2009/7/30 0:00:00
以红色led材料algainp,绿色和蓝色led材料InGaN三芯合一的全彩led为研究对象,通过大量实验及所测数据,研究用高密高位led作场序彩色液晶显示器背光源,在不同情况
https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:13:43
与aln, inn共同构成组分三角形，可以合成三元系的InGaN，aigan，和四元系的alInGaN材料，可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光器，并可扩展到白光，将替代人类沿用至
https://www.alighting.cn/news/20111123/85634.htm2011/11/23 14:17:08
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(gan)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(InGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与gan类紫外led的约110倍。
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
白光。为了获得高的转换效率，荧光粉的激发光谱的峰值应在470nm附近，与蓝色led的发光峰值相近。 为了提高半导体高功率白光led器件发光效率和散热效果，可采用倒装InGaN(
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
m附近，与蓝色led的发光峰值相近。为了提高半导体高功率白光led器件发光效率和散热效果，可采用倒装InGaN(蓝)芯片结构，以及在芯片周围涂敷荧光粉。为了提高光的均匀性，需要将荧光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
镓（InGaN ）led电容（capacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型gan薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
