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成发光中心,实现了1cd的亮度,并最终投产。信号灯等应用产品也相继开始出现。 1992年4月,从美国学会讲演归来的中村为了开发出双异质结构,埋头研究InGaN膜的生成(表1)。如果
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40244.html2010/4/14 22:56:00
一、 led用红色荧光粉研究现状 1、硫化物体系 碱土金属硫化物体系是一类重要的发光基质材料。eu2+激活的cas或srs可有效被蓝光激发而发射红光，可用作InGaN蓝光芯片的
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/8/2/64436.html2010/8/2 9:55:00
c)）贴合，其特征在于，将倒装焊芯片(InGaN与alingap结构)的衬底表面做成光子晶体结构。本实验采用特殊激光点曝光制程和干法刻蚀使芯片出光表面形成二维光子晶体结构，如图三所示，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
a的背光以及汽车仪表的照明。 2 白色led的发光机理及特性 2．1 发光机理 单芯片白色led是一种含InGaN活性层的can发光二极管，它主要有两种发光机理：一种是结
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
续可变的三元或四元固溶体合金（algan、InGaN、alInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
料和器件工艺技术研究的前沿课题。 超高亮度(uhb)是指发光强度达到或超过100mcd的led，又称坎德拉(cd)级led。高亮度a1gainp和InGaN led的研制进展十
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
p和InGaN led的研制进展十分迅速，现已达到常规材料gaa1as、gaasp、gap不可能达到的性能水平。 1991年日本东芝公司和美国hp公司研制成ingaa1p 62
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179890.html2011/5/20 0:39:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179900.html2011/5/20 0:43:00
型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与inn,aln形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（algan、InGaN、alinga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
些公司拥有原创性的专利，领导led技术发展潮流并占有主流市场。 nichia 由于在InGaN 的led技术和生产白光led的荧光粉材料上拥有多项专利，在InGaN白色led芯
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233154.html2011/8/20 0:17:00
