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而改善晶体质量。例如，InGaN使用si参杂就可以改善晶体质量。3、cl参杂：cl的电阻率是决定cl浓度的重要参数，浓度一定要低到不足以在cl中产生热效应，但是cl参杂又必须高过a
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
d 材料InGaN。这两种系列材料的开发成功,使led 的光效又获得了大幅度的提高。在2000 年时, 由前者试制成的led 在红橙区(λp = 615 纳米)的光效达到了100 流明
http://blog.alighting.cn/1055/archive/2007/11/26/8311.html2007/11/26 19:28:00
色和白色led使用高效的InGaN技术，超级红色，柔和的橙色，黄色和黄绿色装置采用最先进的allngap技术，提高光输出的三个因素。凭借其亮度高，体积小，vlmx1500-gs08系
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/17/286315.html2012/8/17 10:54:52
为热门的是InGaN、a1gan、gan等ⅲ族氮化物led的应用研究，该类管发射出的蓝绿光、蓝光、紫外光既可与红光、绿光发光二极管合成为白光，也可直接用来激发荧光粉发射出白光。因
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
减，一个原因是材料内缺陷的增殖。众所周知，现代的高亮led器件通常都采用mocvd技术在gaas、蓝宝石等异质衬底上外延生长ingaalp或InGaN等材料制成，为提高发光效率，外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109143.html2010/10/20 17:15:00
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（gan）和铟氮化镓（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
底过渡方法。在蓝宝石衬底除去后的pn结的制造商，在蓝宝石衬底上生长InGaN芯片，然后再连接的传统的四元材料，制造大型结构的蓝色led芯片的下部电极上，通过常规的方法。
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
司的nakamura 用InGaN材料研制成led，并进一步用 这种材料制作双异质结紫外光激光器时，发现光强达到1—2cd的蓝光(450nm)。由于这项发明1996年nakamura获
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
流指标可以看出：对于gaasp二极管，vf可以上升到2.7v（+40%）；对于InGaN二极管，vf可以上程式到4.2v（+20%）。如果系统中需要多个led，如蜂窝电话背板显示器采
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2008/9/25/9117.html2008/9/25 14:40:00
