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色。ingaalp与InGaN材料属iii-v族化合物半导体，当它们温度升高时，材料的禁带宽度将减小，导致器件发光波长变长，颜色发生红移。 有经验公式表明，波长与结温tj的关系为﹕ λ（t
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45320.html2010/5/22 22:09:00
对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间） 2.4蓝宝石衬底过渡法： 按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。 图中为InGaN与alingap两种led用的半导体材料，在各尖峰波长（光色）下的外部量子化效率图，虽然最理想下可逼近40％，但若再
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/1/29/129427.html2011/1/29 10:03:00
国的osram就是以这样的架构开发出“thin gan”高亮度led。原理是在InGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
n用来产生绿、翠绿、蓝光，以及用InGaN产生近紫外线、蓝绿、蓝光。 至于作法有哪里些？这包括改变实体几何结构（横向转成垂直）、换用基板（substrate，也称：衬底）的材料、加
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
灯也不适用于视频拍摄的用途。庆幸的是，led制造商已经着手通过采用如氮化铟镓(InGaN)等新材料来提升功率led的光输出。 图1：基于ncp5005的电感式led驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
n)辐射模式，从而使得落在典型的相机视场内的光输出强度最大化。 安华高科技公司的每一个闪光灯模块集成了3个InGaN led裸片，这些裸片在模块内采用并行连接(hsmw-c83
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134133.html2011/2/20 23:00:00
6 个循环的 InGaN(3 nm) /gan(9 nm) 多量子井和一个在 950 ℃ 生长的 p-gan 层。经过粗化处理的表面与未处理之前的扫描电镜照片如图 2 所
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
