站内搜索
于没有充足，有效的训练和设备操纵失灵而引起的。led是对静电敏感的设备。InGaN晶片通常被认为是“第一位”易受干扰的 。而alingap leds shi “第二位”或更
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179840.html2011/5/20 0:19:00
由图2可以看出：led光效温度系数k最好在2.0×10-3以下，这样由温度引起的led光输出降低才不会很大。例如，InGaN类led的 k值约为1.2×10-3,结温125℃时
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。 ④ 蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出pn结后，将蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。 ④蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出pn结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
如ingaalp等）或氮化物（如InGaN等）等半导体材料制作而成，其发光颜色因受发光机制与材料能隙的限制，故皆属于窄波宽的单色光。然就照明与显示之应用而言，则多数需要使用白色光源，倘若利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229839.html2011/7/17 22:31:00
铟)红、黄、橘光 led及InGaN(氮化铟镓)蓝、绿光led、以及白光led。其产品以显示用途为主,又以亮度一烛光(1 cd)作为一般led和高亮度led之分界点。一般led广
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
在InGaN层上形成金属膜,之后再剥离蓝宝石。这样,金属膜就会?a生映射的效果而获得更多的光线取出,而根据osram的资料显示,这样的结构可以获得75％的光取出效率。▲逐渐有业者利用覆
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及gan/InGaN,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者gan用来产生绿、翠绿、蓝光,以及用InGaN产生近紫外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
/ gan 双异质结,InGaN 活化簿层仅几十nm ,对静电的承受能力很小,极易被静电击穿,使器件失效。因此,在产业化生产中,静电的防范是否得当,直接影响到产品的成品率和经济效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
明灯泡约1;8颗,投影机内10多颗,不过闪光灯使用机会少,点亮时间不长,单颗的照明灯泡则有较宽裕的周遭散热空间,而投影机内虽无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。图中为InGaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
